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DTA114EU3T106

DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.055 EUR
21000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote DTA114EU3T106 nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor dta114eebtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 4209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
926+0.19 EUR
1516+0.11 EUR
2110+0.08 EUR
2422+0.068 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
auf Bestellung 12170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 ROHM 2703335.pdf Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 ROHM 2703335.pdf Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor dta114eebtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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DTA114EU3T106 DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor dta114eebtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 4209 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1516+0.11 EUR
2110+0.08 EUR
2422+0.068 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
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6000+0.061 EUR
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DTA114EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTA114EU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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DTA114EU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
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DTA114EU3T106 dta114eebtl-e.pdf
DTA114EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
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