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DTA114EUAT106

DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTA114EUAT106 DTA114EUAT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114EUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTA114EUA<T106> Hersteller : ROHM SOT23
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DTA114EUA T106 Hersteller : ROHM SOT23/SOT323
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DTA114EUA-T106 Hersteller : ROHM SOT323
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