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DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114EUAT106 DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor dta114eebtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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