DTA114TET1G ON Semiconductor
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Technische Details DTA114TET1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.
Weitere Produktangebote DTA114TET1G nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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DTA114TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA114TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA114TET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTA114TET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
auf Bestellung 10432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTA114TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP |
auf Bestellung 32524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTA114TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DTA114TET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA114TET1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA114TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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