DTA114YEBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details DTA114YEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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DTA114YEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTA114YEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTA114YEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTA114YEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
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DTA114YEBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors TRANSISTOR |
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