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DTA114YET1G

DTA114YET1G ON Semiconductor


dta114y-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA114YET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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DTA114YET1G DTA114YET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA114YET1G DTA114YET1G Hersteller : onsemi DTA114Y_D-1387779.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA114YET1G DTA114YET1G Hersteller : onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTA114YET1G DTA114YET1G Hersteller : ON Semiconductor 76197258415565dta114y-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA114YET1G Hersteller : ONSEMI dta114y-d.pdf DTA114YET1G PNP SMD transistors
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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