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DTA114YETL

DTA114YETL Rohm Semiconductor

dta114yuat106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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Technische Details DTA114YETL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTA114YE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
893+0.08 EUR
1260+0.06 EUR
1695+0.04 EUR
1793+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTA114YE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75A; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : Rohm Semiconductor dta114yuat106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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2000+0.15 EUR
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114YE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP 50V 70MA
auf Bestellung 6450 Stücke:
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11+0.26 EUR
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+0.46 EUR
63+0.28 EUR
101+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : Rohm Semiconductor dta114yuat106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : ROHM dta114yetl-e.pdf Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTA114YE TL Hersteller : ROHM 09+
auf Bestellung 48018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTA114YE TL Hersteller : ROHM SOT23
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : ROHM dta114yetl-e.pdf Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTA114YETL DTA114YETL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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