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DTA115GKAT146

DTA115GKAT146 Rohm Semiconductor

dta115gua.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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Technische Details DTA115GKAT146 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.

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DTA115GKAT146 DTA115GKAT146 Hersteller : Rohm Semiconductor dta115gua.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
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DTA115GKAT146 DTA115GKAT146 Hersteller : Rohm Semiconductor dta115guat106-e.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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