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DTA115GU3T106 ROHM Semiconductor


datasheet?p=DTA115GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115GU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
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Technische Details DTA115GU3T106 ROHM Semiconductor

Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA115GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTA115GU3T106 DTA115GU3T106 Rohm Semiconductor dta115gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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