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DTA115TET1G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA115TET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA115TET1G DTA115TET1G ON Semiconductor dta115t-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115TET1G DTA115TET1G onsemi dta115t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTA115TET1G DTA115TET1G onsemi dta115t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTA115TET1G onsemi DTA115T_D-1803770.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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Power - Max: 200 mW
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