Technische Details DTA115TMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote DTA115TMT2L nach Preis ab 0.051 EUR bis 0.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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DTA115TMT2L | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 7250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTA115TMT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2950+ | 0.06 EUR |
| 2959+ | 0.058 EUR |
| 3279+ | 0.051 EUR |


