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DTA115TU3T106

DTA115TU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R1 ALONE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details DTA115TU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA115T Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Weitere Produktangebote DTA115TU3T106 nach Preis ab 0.088 EUR bis 0.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA115TU3T106 DTA115TU3T106 ROHM dta115tu3t106-e.pdf Description: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.57 EUR
658+0.36 EUR
1142+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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DTA115TU3T106 DTA115TU3T106 ROHM datasheet?p=DTA115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.57 EUR
658+0.36 EUR
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DTA115TU3T106 DTA115TU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115TU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
11+0.31 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.094 EUR
24000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTA115TU3T106 DTA115TU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R1 ALONE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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32+0.67 EUR
53+0.39 EUR
65+0.32 EUR
100+0.24 EUR
250+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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DTA115TU3T106 DTA115TU3T106 Rohm Semiconductor dta115tu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
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DTA115TU3T106 DTA115TU3T106 Rohm Semiconductor dta115tu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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DTA115TU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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658+0.36 EUR
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DTA115TU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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DTA115TU3T106
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115TU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R1 ALONE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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DTA115TU3T106 dta115tu3t106-e.pdf
DTA115TU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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