DTA123EETL

DTA123EETL Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
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Technische Details DTA123EETL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: EMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

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DTA123EETL DTA123EETL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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DTA123EETL DTA123EETL Hersteller : Rohm Semiconductor 51dta123emt2l-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTA123EETL DTA123EETL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123EE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP 50V 100MA
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DTA123EETL DTA123EETL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123EE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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DTA123EETL DTA123EETL Hersteller : Rohm Semiconductor 51dta123emt2l-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTA123EETL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTA123EE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
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