DTA123EMT2L Rohm Semiconductor
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Technische Details DTA123EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Weitere Produktangebote DTA123EMT2L nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 7880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
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DTA123EMT2L | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R |
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| DTA123EMT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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| 1802+ | 0.099 EUR |
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| 5000+ | 0.09 EUR |
| DTA123EMT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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| DTA123EMT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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| 35+ | 0.61 EUR |
| 57+ | 0.37 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 2000+ | 0.13 EUR |
| DTA123EMT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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