DTA123EU3HZGT106 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 637+ | 0.39 EUR |
| 770+ | 0.3 EUR |
| 1450+ | 0.14 EUR |
| 2193+ | 0.098 EUR |
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Technische Details DTA123EU3HZGT106 ROHM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Weitere Produktangebote DTA123EU3HZGT106 nach Preis ab 0.098 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DTA123EU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA123EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTA123EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1667 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DTA123EU3HZGT106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - DTA123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 637+ | 0.39 EUR |
| 770+ | 0.3 EUR |
| 1450+ | 0.14 EUR |
| 2193+ | 0.098 EUR |
| DTA123EU3HZGT106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 0.57 EUR |
| 61+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| DTA123EU3HZGT106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)