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DTA123JET1G

DTA123JET1G ON Semiconductor

dta123j-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA123JET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : onsemi dta123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : onsemi DTA123J_D-1387683.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : onsemi dta123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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DTA123JET1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003071246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA123JET1G DTA123JET1G Hersteller : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA123JET1G Hersteller : ONSEMI dta123j-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 3000pcs.
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