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DTA123JET1G

DTA123JET1G ON Semiconductor

dta123j-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA123JET1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DTA123JET1G DTA123JET1G onsemi dta123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
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DTA123JET1G DTA123JET1G onsemi dta123j-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA123JET1G DTA123JET1G onsemi dta123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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DTA123JET1G ONSEMI ONSM-S-A0003071246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Description: ONSEMI - DTA123JET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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