DTA123TM3T5G ON Semiconductor
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Technische Details DTA123TM3T5G ON Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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| DTA123TM3T5G | Hersteller : Sanyo |
 Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms |
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| DTA123TM3T5G | Hersteller : Sanyo Electric |
DTA123TM3T5G |
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| DTA123TM3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA123TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DTA123TM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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| DTA123TM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |