DTA123YEBTL Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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Technische Details DTA123YEBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: UMT3F, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-85, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA123YEBTL DTA123YEBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123YEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP -100mA; -50V EMT3F
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DTA123YEBTL DTA123YEBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123YEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
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DTA123YEBTL DTA123YEBTL Rohm Semiconductor dta123ykat146-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
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