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DTA123YMT2L

DTA123YMT2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTA123YM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Technische Details DTA123YMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Supplier Device Package: VMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA123YMT2L DTA123YMT2L Rohm Semiconductor dta123ye3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7900 Stücke:
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DTA123YMT2L DTA123YMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123YM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3
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Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
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DTA123YMT2L DTA123YMT2L Rohm Semiconductor dta123ye3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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