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DTA143EMFHAT2L

DTA143EMFHAT2L Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DTA143EMFHAT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA143EMFHAT2L DTA143EMFHAT2L Rohm Semiconductor dta143ee3-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101
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DTA143EMFHAT2L DTA143EMFHAT2L Rohm Semiconductor dta143eetl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R
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DTA143EMFHAT2L DTA143EMFHAT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA143EMFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A VMT3
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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