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DTA143TET1G

DTA143TET1G onsemi

dta143t-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DTA143TET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA143TET1G DTA143TET1G onsemi DTA143T-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA143TET1G DTA143TET1G onsemi dta143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
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DTA143TET1G DTA143TET1G ON Semiconductor DTA143T_D-1773678.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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