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DTA143ZET1G

DTA143ZET1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA143ZET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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4445+0.038 EUR
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3704+0.043 EUR
3862+0.039 EUR
4049+0.036 EUR
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DTA143ZET1G DTA143ZET1G onsemi DTA143Z-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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1525+0.12 EUR
2119+0.083 EUR
2434+0.07 EUR
3379+0.05 EUR
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18000+0.07 EUR
72000+0.056 EUR
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DTA143ZET1G DTA143ZET1G onsemi DTA143Z-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA143ZET1G DTA143ZET1G onsemi DTA143Z-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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59+0.36 EUR
100+0.21 EUR
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DTA143ZET1G DTA143ZET1G ONSEMI ONSM-S-A0013750053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2600 Stücke:
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622+0.4 EUR
991+0.24 EUR
1777+0.12 EUR
2218+0.096 EUR
2519+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
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DTA143ZET1G DTA143ZET1G ONSEMI ONSM-S-A0013750053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.4 EUR
991+0.24 EUR
1777+0.12 EUR
2218+0.096 EUR
2519+0.084 EUR
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DTA143ZET1G DTA143ZET1G ONSEMI DTA143Z-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 2910 Stücke:
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
9901+0.018 EUR
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 36427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3862+0.046 EUR
4049+0.043 EUR
4238+0.04 EUR
4445+0.038 EUR
6000+0.036 EUR
15000+0.033 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3862 Stücke
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 36427 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3290+0.054 EUR
3413+0.05 EUR
3559+0.046 EUR
3704+0.043 EUR
3862+0.039 EUR
4049+0.036 EUR
4238+0.033 EUR
4445+0.031 EUR
6000+0.03 EUR
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DTA143ZET1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7813+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7813 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 54240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1525+0.12 EUR
2119+0.083 EUR
2434+0.07 EUR
3379+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 84240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2359+0.15 EUR
5000+0.1 EUR
9000+0.093 EUR
18000+0.07 EUR
72000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 54240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
553+0.32 EUR
931+0.18 EUR
1525+0.11 EUR
2119+0.075 EUR
2434+0.063 EUR
3379+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 5314 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
9+0.35 EUR
15+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
100+0.21 EUR
163+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
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DTA143ZET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
622+0.4 EUR
991+0.24 EUR
1777+0.12 EUR
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2519+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTA143ZET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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DTA143ZET1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
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