DTA143ZET1G ON Semiconductor
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Technische Details DTA143ZET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Weitere Produktangebote DTA143ZET1G nach Preis ab 0.017 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
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DTA143ZET1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTA143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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