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DTA144EM3T5G

DTA144EM3T5G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details DTA144EM3T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Power - Max: 260 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-723, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA144EM3T5G DTA144EM3T5G ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTA144EM3T5G DTA144EM3T5G onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTA144EM3T5G DTA144EM3T5G ON Semiconductor DTA144E_D-2310693.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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