DTA144GU3HZGT106 Rohm Semiconductor
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Technische Details DTA144GU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA144GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DTA144GU3HZGT106 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.54 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101 |
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101 |
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA144GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DTA144GU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA144GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
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