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DTA144TU3T106

DTA144TU3T106 ROHM Semiconductor

datasheet?p=DTA144TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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Technische Details DTA144TU3T106 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - DTA144TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA144T Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA144TU3T106 DTA144TU3T106 ROHM dta144tu3t106-e.pdf Description: ROHM - DTA144TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA144T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
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451+0.56 EUR
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1198+0.18 EUR
1611+0.13 EUR
1829+0.12 EUR
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DTA144TU3T106 DTA144TU3T106 ROHM dta144tu3t106-e.pdf Description: ROHM - DTA144TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA144T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
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DTA144TU3T106 DTA144TU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA144TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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DTA144TU3T106 DTA144TU3T106 Rohm Semiconductor dta144tu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTA144TU3T106 DTA144TU3T106 Rohm Semiconductor dta144tu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DTA144TU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA144TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA144T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
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DTA144TU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA144TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA144T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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DTA144TU3T106
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
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DTA144TU3T106 dta144tu3t106-e.pdf
DTA144TU3T106
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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