DTA144WU3T106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 0.46 EUR |
| 63+ | 0.28 EUR |
| 101+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DTA144WU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA144WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DTA144WU3T106 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA144WU3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA144WU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA144WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
DTA144WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DTA144WU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA144WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DTA144WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
Produkt ist nicht verfügbar |