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DTB113ZCT116

DTB113ZCT116 Rohm Semiconductor

1744877984478191dtb113zc.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details DTB113ZCT116 Rohm Semiconductor

Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Weitere Produktangebote DTB113ZCT116 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTB113ZCT116 DTB113ZCT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors
auf Bestellung 3313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
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DTB113ZCT116 DTB113ZCT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1165 Stücke:
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34+0.63 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
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Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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