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DTB114ECHZGT116

DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor dtb114echzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
944+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 944 Stücke
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DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
121+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB114ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 ROHM dtb114echzg-e.pdf Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.52 EUR
758+0.31 EUR
1870+0.11 EUR
1977+0.11 EUR
2097+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 ROHM dtb114echzg-e.pdf Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
758+0.31 EUR
1870+0.11 EUR
1977+0.11 EUR
2097+0.1 EUR
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DTB114ECHZGT116 DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor dtb114echzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 820 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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DTB114ECHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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76+0.27 EUR
121+0.18 EUR
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1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist
auf Bestellung 260 Stücke:
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10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
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3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DTB114ECHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2616 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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758+0.31 EUR
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DTB114ECHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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500+0.52 EUR
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Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 820 Stücke
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