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DTB123YCT116

DTB123YCT116 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details DTB123YCT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTB123YCT116 DTB123YCT116 Rohm Semiconductor 21dtb123yct116-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
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DTB123YCT116 DTB123YCT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB123YC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors
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DTB123YCT116 DTB123YCT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB123YC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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