DTC014EEBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details DTC014EEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DTC014EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DTC014EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTC014EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTC014EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTC014EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
auf Bestellung 20100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC014EEBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors |
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| DTC014EEBTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTC014EEBTL NPN SMD transistors |
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