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DTC014YMT2L

DTC014YMT2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC014YM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 48000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8000+0.07 EUR
16000+0.063 EUR
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Technische Details DTC014YMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC014YMT2L DTC014YMT2L Rohm Semiconductor 108dtc014ymt2l-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 29560 Stücke:
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DTC014YMT2L DTC014YMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC014YM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC014YMT2L DTC014YMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC014YM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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85+0.25 EUR
136+0.15 EUR
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1000+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
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Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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