DTC023YUBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details DTC023YUBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC023YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Produktpalette: DTC023Y Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DTC023YUBTL nach Preis ab 0.096 EUR bis 0.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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DTC023YUBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R |
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DTC023YUBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DTC023YUBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors |
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DTC023YUBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC023YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTC023Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC023YUBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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