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DTC043EUBTL

DTC043EUBTL Rohm Semiconductor

dtc043eebtl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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Technische Details DTC043EUBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

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DTC043EUBTL DTC043EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor dtc043eebtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC043EUBTL DTC043EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC043EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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DTC043EUBTL DTC043EUBTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC043EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
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DTC043EUBTL DTC043EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC043EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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