DTC043XMT2L Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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Technische Details DTC043XMT2L Rohm Semiconductor

Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC043XMT2L DTC043XMT2L ROHM Semiconductor dtc043xebtl-e.pdf Digital Transistors NPN, SOT-723, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 3080 Stücke:
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9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.096 EUR
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DTC043XMT2L DTC043XMT2L Rohm Semiconductor dtc043xebtl-e.pdf Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 7732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
47+0.44 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: VMT3
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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