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DTC113ZCAHZGT116

DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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3000+0.067 EUR
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Technische Details DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC113ZCAHZGT116 DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC113ZCAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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103+0.2 EUR
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DTC113ZCAHZGT116 DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC113ZCAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
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500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
607+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
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Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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DTC113ZCAHZGT116 DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc113zcahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTC113ZCAHZGT116 DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc113zcahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTC113ZCAHZGT116 DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc113zcahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTC113ZCAHZGT116 DTC113ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor dtc113zcahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
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Supplier Device Package: SST3
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
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Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
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DTC113ZCAHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DTC113ZCAHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC113ZCAHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 242 Stücke:
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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