DTC113ZU3T106 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2632+ | 0.067 EUR |
| 2711+ | 0.063 EUR |
| 5000+ | 0.061 EUR |
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Technische Details DTC113ZU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC113Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote DTC113ZU3T106 nach Preis ab 0.061 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC113ZU3T106 | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 |
auf Bestellung 6055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC113ZU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 58 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DTC113ZU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 155 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 581+ | 0.3 EUR |
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.36 EUR |
| 16+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.086 EUR |
| 3000+ | 0.069 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 96+ | 0.21 EUR |
| 155+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.087 EUR |
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC113ZU3T106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)