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DTC114ECAHZGT116

DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor

dtc114ecahzg-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DTC114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
650+0.11 EUR
1034+0.069 EUR
1977+0.036 EUR
2093+0.034 EUR
15000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
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24000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3289 Stücke:
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67+0.26 EUR
112+0.16 EUR
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500+0.071 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : ROHM dtc114ecahzg-e.pdf Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4210 Stücke:
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : ROHM dtc114ecahzg-e.pdf Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114ecahzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC114ECAHZGT116 DTC114ECAHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114ECAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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