DTC114ECAT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 449 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 449+ | 0.16 EUR |
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Technische Details DTC114ECAT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DTC114ECAT116 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DTC114ECAT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V |
auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 28697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114ECAT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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