DTC114GU3HZGT106 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorDigital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.10 EUR |
| 9000+ | 0.09 EUR |
| 24000+ | 0.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DTC114GU3HZGT106 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DTC114GU3HZGT106 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL |
auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|||||||
 |
DTC114GU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
|
|
DTC114GU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
|
|
DTC114GU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL |
Produkt ist nicht verfügbar |