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DTC114TCAT116

DTC114TCAT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC114TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details DTC114TCAT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC114TCAT116 DTC114TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor 25dtc114tcat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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DTC114TCAT116 DTC114TCAT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
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DTC114TCAT116 DTC114TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 6904 Stücke:
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DTC114TCAT116 DTC114TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor 25dtc114tcat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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DTC114TCAT116 DTC114TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor 25dtc114tcat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 350mW 3-Pin SST T/R
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