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DTC114TSATP (NPN-Bipolartransistor) Rohm


Produktcode: 28218
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Hersteller: Rohm
Gehäuse: TO-92S
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 600
Bemerkung: 10k+10k
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC114TSATP Rohm dtc114tka.pdf description TO-92S Транзистори
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DTC114TSATP DTC114TSATP Rohm Semiconductor dtc114tka.pdf description Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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DTC114TSATP ROHM Semiconductor rohm semiconductor_dtc114te-1201544.pdf description Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
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DTC114TSATP description dtc114tka.pdf
Hersteller: Rohm
TO-92S Транзистори
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DTC114TSATP description dtc114tka.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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DTC114TSATP description rohm semiconductor_dtc114te-1201544.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
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