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DTC114WU3T106

DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor

dtc114wu3t106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-323, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 ROHM 4117220.pdf Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.57 EUR
663+0.35 EUR
1142+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 ROHM 4117220.pdf Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
663+0.35 EUR
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
55+0.38 EUR
67+0.31 EUR
100+0.24 EUR
250+0.19 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114WU3T106 DTC114WU3T106 Rohm Semiconductor dtc114wu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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Digital Transistors NPN, SOT-323, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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DTC114WU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
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663+0.35 EUR
1142+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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DTC114WU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1142+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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DTC114WU3T106 dtc114wu3t106-e.pdf
DTC114WU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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DTC114WU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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