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DTC114YM3T5G

DTC114YM3T5G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details DTC114YM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114YM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 600mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G onsemi DTC114Y-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G onsemi DTC114Y-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
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2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - DTC114YM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - DTC114YM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ONSEMI DTC114Y-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Current gain: 80...140
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
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DTC114YM3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8043+0.083 EUR
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Mindestbestellmenge: 8043 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 951442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8043+0.083 EUR
10000+0.073 EUR
100000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8043 Stücke
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DTC114YM3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8043 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 7441 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
614+0.29 EUR
998+0.18 EUR
1346+0.13 EUR
1716+0.098 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 7441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
371+0.48 EUR
614+0.29 EUR
998+0.17 EUR
1346+0.12 EUR
1716+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
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DTC114YM3T5G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 5734 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+0.52 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTC114YM3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2000 Stücke:
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40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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DTC114YM3T5G 2353855.pdf
DTC114YM3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114YM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 26963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
399+0.63 EUR
637+0.37 EUR
1028+0.21 EUR
1405+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114YM3T5G 2353855.pdf
DTC114YM3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114YM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 26963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.63 EUR
637+0.37 EUR
1028+0.21 EUR
1405+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114YM3T5G DTC114Y-D.PDF
DTC114YM3T5G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Current gain: 80...140
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114YM3T5G dtc114y-d.pdf
DTC114YM3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114YM3T5G dtc114y-d.pdf
DTC114YM3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH