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DTC115EET1G

DTC115EET1G onsemi

dtc115e-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DTC115EET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC115EET1G DTC115EET1G Hersteller : onsemi DTC115E_D-1540061.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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DTC115EET1G DTC115EET1G Hersteller : onsemi dtc115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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