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DTC115EETL

DTC115EETL Rohm Semiconductor

dtc115emt2l-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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Technische Details DTC115EETL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: EMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC115EETL DTC115EETL Rohm Semiconductor dtc115emt2l-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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DTC115EETL DTC115EETL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC115EE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 20MA
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DTC115EETL DTC115EETL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115EE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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