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DTC115EMT2L

DTC115EMT2L Rohm Semiconductor

dtc115emt2l-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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Technische Details DTC115EMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DTC115EMT2L DTC115EMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC115EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DGTL NPN 50V 20MA
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DTC115EMT2L DTC115EMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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Power - Max: 150 mW
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Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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