DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC115T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DTC115TU3T106 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DTC115TU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
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DTC115TU3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
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DTC115TU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC115T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DTC115TU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
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DTC115TU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC115TU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT |
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