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DTC115TU3T106

DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTC115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC115T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC115TU3T106 DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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55+0.39 EUR
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DTC115TU3T106 DTC115TU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
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6000+0.1 EUR
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DTC115TU3T106 DTC115TU3T106 ROHM datasheet?p=DTC115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTC115TU3T106 DTC115TU3T106 ROHM datasheet?p=DTC115TU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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DTC115TU3T106 DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor dtc115tu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DTC115TU3T106 DTC115TU3T106 Rohm Semiconductor dtc115tu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
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DTC115TU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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Digital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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DTC115TU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
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Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
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Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DTC115TU3T106 dtc115tu3t106-e.pdf
DTC115TU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
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