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DTC123JM3T5G

DTC123JM3T5G ON Semiconductor

dtc123jd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details DTC123JM3T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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DTC123JM3T5G ONSEMI RE_DSHEET_DTC123JM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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