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DTC124GU3HZGT106

DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dtc124gu3hzgt106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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Technische Details DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC124GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC124GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc124gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc124gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc124gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc124gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC124GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC124GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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DTC124GU3HZGT106 DTC124GU3HZGT106 ROHM 4387120.pdf Description: ROHM - DTC124GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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DTC124GU3HZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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DTC124GU3HZGT106
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DTC124GU3HZGT106
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
531+0.32 EUR
849+0.2 EUR
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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Digital Transistors NPN, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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10+0.36 EUR
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1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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DTC124GU3HZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC124GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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428+0.58 EUR
672+0.35 EUR
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