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DTC143EM3T5G

DTC143EM3T5G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details DTC143EM3T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G onsemi DTC143E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G onsemi DTC143E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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