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DTC143TCAT116

DTC143TCAT116 Rohm Semiconductor

dtc143tcat116-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details DTC143TCAT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC143TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC143T Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC143TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Current gain: 100...600
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4050 Stücke:
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Anzahl Preis
556+0.13 EUR
863+0.083 EUR
1238+0.058 EUR
1530+0.047 EUR
2213+0.032 EUR
2337+0.031 EUR
75000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC143TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Current gain: 100...600
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Anzahl Preis
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863+0.083 EUR
1238+0.058 EUR
1530+0.047 EUR
2213+0.032 EUR
2337+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc143tcat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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1397+0.19 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1397
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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50+0.35 EUR
82+0.21 EUR
133+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC143TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
auf Bestellung 3534 Stücke:
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Anzahl Preis
8+0.39 EUR
13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.097 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : ROHM 2703444.pdf Description: ROHM - DTC143TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc143tcat116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : ROHM 2703444.pdf Description: ROHM - DTC143TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTC143TCAT116 DTC143TCAT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143TCA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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